[实用新型]可获得三基色光的发光二极管结构有效
| 申请号： | 201120524713.X | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN202513199U | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;吴东海;李志翔 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 可获得三基色光的发光二极管结构，涉及光电技术领域。本实用新型包括位于底部的蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底上的金属氮化物缓冲层和置于顶部的P型半导体层。其结构特点是，所述金属氮化物缓冲层上依次置有异变InGaN缓冲层和InGaN有源层。异变InGaN缓冲层中的In组分含量随着材料外延生长参数的改变呈线性增加，InGaN缓冲层的厚度范围为0.1～100μm，In组分含量从0线性增加至x，组分x的取值范围为0＜x＜1。同现有技术相比，本实用新型通过组分渐变结构的异变InGaN缓冲层，改善发光半导体装置有源层的结晶质量，获得整个可见光波段的出射光。 | ||
| 搜索关键词： | 可获得 基色 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
可获得三基色光的发光二极管结构，它包括位于底部的蓝宝石衬底（200）、形成于蓝宝石衬底（200）上的金属氮化物缓冲层（210）和置于顶部的P型半导体层（240），其特征在于，所述金属氮化物缓冲层（210）上依次置有In组分渐变的异变InGaN缓冲层（221）和InGaN有源层（230）。
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