[实用新型]一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置有效
申请号: | 201120527096.9 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN202487543U | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 汪明刚;李超波;屈芙蓉;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/265 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置,属于PIII技术领域。该装置包括工作腔室、气源、功率源、偏压源、真空系统、偏压电极、冷却系统,还包括法拉第杯系统、信号检出系统和信号处理与控制系统。该装置能够实现在线检测PIII剂量和均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 piii 工艺流程 控制 在线 剂量 均匀 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置,包括工作腔室、气源、功率源、偏压源、真空系统、偏压电极、冷却系统;所述气源为所述工作腔室提供工作气体,所述功率源用于产生等离子体,所述偏压源用于偏置所述偏压电极,所述真空系统用于为所述工作腔室营造工作环境,所述冷却系统用于所述基片散热;其特征在于,还包括法拉第杯系统、信号检出系统、信号处理与控制系统和人机交互界面;所述偏压电极上具有用于放置需要对其进行PIII的基片的区域,所述偏压电极上于所述区域之内均匀地开设有至少两个第Ⅰ种通孔,并且,所述偏压电极于所述区域之外还开设有至少一个第Ⅰ种通孔,所述法拉第杯系统布置于所述偏压电极上,所述法拉第杯的布置位置与所述第Ⅰ种通孔的位置相对应,所述法拉第杯的开口的当量≥所述第Ⅰ种通孔的当量;所述PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置通过人机交互界面输入初始条件;所述信号处理与控制系统接收来自人机交互界面的初始条件信号,并且,所述信号处理与控制系统将所述初始条件信号转化成相应终端部件的控制信号后传输给所述相应的终端部件;所述相应终端部件接收所述控制信号,并根据所述控制信号进行动作;所述相应终端部件采集实时状态参数后将所述实时状态参数信号传输给所述信号处理与控制系统,其中,PIII剂量和均匀性通过所述法拉第杯系统由所述信号检 出系统实时检出,所述信号检出系统将实时检出的PIII剂量和均匀性信号传输给所述信号处理与控制系统;所述信号处理与控制系统能够根据所述初始条件信号、所述实时状态参数信号和所述PIII剂量和均匀性信号对PIII工艺流程进行控制;并且,所述信号处理与控制系统能够将所述实时状态参数信号和所述PIII剂量和均匀性信号传输给所述人机交互界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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