[实用新型]采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构有效
| 申请号： | 201120538144.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN202373585U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 武洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有N阱漂移区、源区、漏区，N阱漂移区上形成有场氧区；源区通过接触孔连接源极，漏区通过接触孔连接漏极；场氧区上设置有栅多晶场板；所述源、漏极为叉指结构，指尖状的源极和漏极交替排列；第一栅极金属在器件一端通过接触孔与栅多晶相连；沿所述源极的指尖结构长度方向设置有第二栅极金属，第二栅极金属与所述栅多晶平行，所述第二栅极金属通过多个栅金属接触孔与栅多晶相连。本实用新型通过改善叉指状横向功率MOSFET的栅极，能够改善器件沿指尖方向的开关均匀性，增加指尖的结构长度，增加允许最大电流，改善器件的安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 降低 表面 电场 技术 横向 功率 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种采用降低表面电场技术的横向功率MOSFET器件结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有N阱漂移区、源区、漏区，N阱漂移区上形成有场氧区；源区通过接触孔连接源极，漏区通过接触孔连接漏极；场氧区上设置有栅多晶场板；所述源、漏极为叉指结构，指尖状的源极和漏极交替排列；第一栅极金属在器件一端通过接触孔与栅多晶相连；其特征在于：沿所述源极的指尖结构长度方向设置有第二栅极金属，所述第二栅极金属与所述栅多晶平行，所述第二栅极金属通过多个栅金属接触孔与栅多晶相连。
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