[实用新型]一种硅基双结叠层太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种硅基双结叠层太阳电池，涉及叠层电池结构的设计，属于硅基太阳电池技术领域。该太阳电池包括一个顶电池和一个底电池，两个子电池之间经隧道结连接构成串联结构。顶电池采用宽禁带的非晶硅材料构成PIN结，底电池采用窄禁带的多晶硅材料构成PIN结。非晶硅本征层厚度与多晶硅本征层厚度之比为1∶3。各子电池及其间的连接结构直接在玻璃衬底上沉积而成。该结构可以提高太阳电池的光电转换效率、减轻发生光致衰退效应、减少吸收层厚度、减少硅材料用量、降低太阳电池成本。

主权项

一种硅基双结叠层太阳电池，包括一个顶电池(12)、一个底电池(13)，两个电池之间经隧道结连接构成串联结构，其特征在于：所述顶电池是非晶硅的PIN结电池，所述底电池是多晶硅的PIN结电池，各子电池及其间的连接结构直接在玻璃衬底上沉积而成。