[实用新型]一种压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201120548783.9 申请日: 2011-12-23
公开(公告)号: CN202524376U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 许建超;史爱焕 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 薛祥辉
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种压控振荡器,该压控振荡器包括电感电容并联谐振腔、尾电流源、PMOS交叉耦合对和NMOS交叉耦合对,电感电容并联谐振腔包括并联的电感、开关电容阵列和变容管阵列,电感电容并联谐振腔的两个输出端的平均电压、PMOS交叉耦合对与所述尾电流源之间的节点电压和/或地电平分别输入至所述变容管阵列。本实用新型通过以上技术方案,解决现有技术中采用开关电容阵列的压控振荡器的子调谐曲线上调谐增益变化较大的问题。
搜索关键词: 一种 压控振荡器
【主权项】:
一种压控振荡器,其特征在于,包括电感电容并联谐振腔、尾电流源、PMOS交叉耦合对和NMOS交叉耦合对;所述电感电容并联谐振腔包括并联的电感、开关电容阵列和变容管阵列;所述PMOS交叉耦合对包括第一PMOS管和第二PMOS管;所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均接至所述尾电流源的输出端,所述第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别接至所述电感电容并联谐振腔的两个输出端;所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极分别接至所述电感电容并联谐振腔与其漏极连接相异的输出端;所述NMOS交叉耦合对包括第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一NMOS管和第二NMOS管的源极均接至地电平,所述第一NMOS管和第二NMOS管的漏极分别接至所述电感电容并联谐振腔的两个输出端;所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别接至所述电感电容并联谐振腔与其漏极连接相异的输出端;所述电感电容并联谐振腔的两个输出端的平均电压、所述PMOS交叉耦合对与所述尾电流源之间的节点电压和/或所述地电平分别输入至所述变容管阵列。
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