[实用新型]高电压瞬态电压抑制器芯片有效
| 申请号： | 201120551293.4 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN202423293U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 薄勇;刘亚东;安毅力;张超;王睿;艾传令;郝会振;孔祥和 | 申请（专利权）人： | 天津中环半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300385 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高电压瞬态电压抑制器芯片，芯片结构为P+NN+单向高电压瞬态电压抑制器或P+NP+双向高电压瞬态电压抑制器芯片，P+NN+单向高电压瞬态电压抑制器的芯片正面截层依次为：TVS芯片、台面沟槽、玻璃层和金属面；P+NP+双向高电压瞬态电压抑制器，芯片正面截层依次为：TVS芯片、台面沟槽、玻璃层和金属面；芯片主体结可使击穿电压达到250V-400V，而在芯片台面沟槽附近区域设计的辅助PN结，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大，击穿电压低，易损坏的问题，提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 瞬态 抑制器 芯片 | ||
【主权项】：
一种高电压瞬态电压抑制器芯片，其特征在于：芯片结构为P+NN+ 单向高电压瞬态电压抑制器或P+NP+双向高电压瞬态电压抑制器芯片；P+NN+ 单向高电压瞬态电压抑制器的芯片正面截层依次为： TVS芯片（1）、台面沟槽（2）、玻璃层（3）和金属面（4）；P+NP+双向高电压瞬态电压抑制器，芯片正面截层依次为：TVS芯片（1）、台面沟槽（2）、玻璃层（3）和金属面（4）；高电压瞬态电压抑制器芯片剖面结构，依次为： 二次硼扩散结（5）， 一次硼扩散结（6）， 材料硅片（7）， 磷扩散结（8）。
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