[实用新型]由双向可控硅调控的电容降压的高效直流电源有效
申请号: | 201120551321.2 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN202374188U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 王雁尘 | 申请(专利权)人: | 王雁尘 |
主分类号: | H02M7/04 | 分类号: | H02M7/04;H02M3/155;H03K17/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610031 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种由双向可控硅调控的电容降压的高效直流电源,采用电容降压,监控管理采用两组TL431门限比较构成电压监控,设置高低电压门限,门限监控互锁转换,供电时高门限主控并关闭低门限电路,当电压大于高门限设置电压,光耦组件截止双向可控硅交流供电,高门限电路矢电退出,同时低门限电路被打开,当电压低于低门限设置电压,驱动光藕组件导通双向可控硅,交流供电打开,高门限电路接管监控管理,交流供电自锁维持供电,采用通用元件,低功耗,低成本,适用于一般长期在线小功率设备供电,如广播播放系统等等。 | ||
搜索关键词: | 双向 可控硅 调控 电容 降压 高效 直流电源 | ||
【主权项】:
一种双向可控硅调控的电容降压的高效直流电源,其特征是:采用电容降压,监控管理采用两组TL431门限比较构成电压监控,设置高低电压门限,门限监控互锁转换,供电时高门限主控并关闭低门限电路,当电压大于高门限设置电压,光耦组件截止双向可控硅交流供电,供电停止;高门限电路矢电退出,同时低门限电路被打开,当电压低于低门限设置电压,驱动光耦组件导通双向可控硅,交流供电打开,高门限电路接管监控管理,交流供电自锁维持供电;TL431高门限比较器供电是由电源提供,3.3伏供电由R1限流电阻和对地连接的3.3V稳压管获得;TL431正极由1.kΩ限流电阻连接3.3伏供电;驱动控制电路,是3.3伏供电端经1kΩ限流电阻、经三极管C‑E连接光耦中的LED和电阻接地,三极管的B经10kΩ电阻连接TL431正极;供电电源正极与负载端的正极有正向连接的二极管隔离,门限比较器的取样连接在负载端,低门限比较器的供电开关是1015PNP三极管构成,隔离二管正极经100k电阻连接PNP三极管基极,电池正极端经4148二管正向连接PNP三极管射极,集电极连接TL431低门限比较器供电,形成供电与待机的自动转换。
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