[实用新型]高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路

摘要

高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路，包括器件管壳基座(1)、管脚(9)、上陶瓷基片(2)、下陶瓷基片(12)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)，上陶瓷基片(2)正面为常规的混合集成电路；背面集成微型热电致冷器(11)和N型半导体(7)及P型半导体(8)；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端有引出连接线，填充有绝缘介质(10)；下陶瓷基片(12)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上；管脚(9)装在器件管壳基座(1)两端。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

主权项

一种高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路，其特征在于该电路包括器件管壳基座(1)、管脚(9)、上陶瓷基片(2)、下陶瓷基片(12)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)，其中，上陶瓷基片(2)有正面衬底和背面衬底，正面为常规的混合集成电路集成，包括厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)、小容量电感、电容和其他微型元器件；背面集成微型热电致冷器(11)和N型半导体(7)及P型半导体(8)，并分别从N型半导体(7)、P型半导体(8)的两端引出连接线；N型半导体(7)、P型半导体(8)之间填充有绝缘介质(10)；下陶瓷基片(12)正面是微型热电致冷器（11）的引脚，背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上；管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。