[实用新型]过压及欠压保护电路

摘要

本实用新型涉及电压保护技术领域，尤其涉及一种过压及欠压保护电路，它包括欠压检测单元、过压检测单元、输出控制单元和开关控制单元，欠压检测单元包括齐纳二极管D1，过压检测单元包括齐纳二极管D2、三极管Q1，输出控制单元包括二极管D3，开关控制单元包括三极管Q2、MOS晶体管Q3，当电压过低时，齐纳二极管D1、齐纳二极管D2关断，MOS晶体管关断，电路对负载供电，当电压过高时，齐纳二极管D1、D2导通，MOS晶体管关断，电路对负载供电，当电压正常时，齐纳二极管D1导通，齐纳二极管D2关断，MOS晶体管Q3导通，电路对负载供电，本实用新型结构科学简单，可靠性高。

主权项

一种过压及欠压保护电路，其特征在于：包括欠压检测单元（1）、过压检测单元（2）、输出控制单元（3）和开关控制单元（4）；所述欠压检测单元（1）包括齐纳二极管D1、限流电阻R1；所述过压检测单元（2）包括齐纳二极管D2、NPN型三极管Q1、限流电阻R2、下拉电阻R3；所述输出控制单元（3）包括二极管D3；所述开关控制单元（4）包括NPN型三极管Q2、P型MOS晶体管Q3、下拉电阻R4；齐纳二极管D1的负极通过限流电阻R1与MOS晶体管Q3的漏极连接，齐纳二极管D2的负极通过限流电阻R2与MOS晶体管Q3的漏极连接，齐纳二极管D2的正极与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的基极通过下拉电阻R3接地，齐纳二极管D1的正极、三极管Q1的集电极与二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与三极管Q2的基极连接，三极管Q2的基极通过下拉电阻R4接地，三极管Q2的集电极与MOS晶体管Q3的栅极连接，三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极均接地，MOS晶体管Q3的漏极为输入端，MOS晶体管Q3的源极为输出端。