[实用新型]压力调整装置有效
| 申请号： | 201120561370.4 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202394851U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郑鋆;曲道奎;徐方;李学威;张鹏;温燕修;周道;边弘晔 | 申请（专利权）人： | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种压力调整装置，包括一收容室，所述收容室具有一底部，并在所述底部上设有若干与外界连通的通风孔，所述收容室内装设有独立送风单元及调整结构，所述调整结构具有上侧和下侧，所述调节结构设有若干通孔作为出风孔，所述调整结构的上侧连通所述独立送风单元，所述调整结构的下侧连通所述底部，所述调整结构的上侧与其下侧间由于所述独立送风单元的风流由上侧流经所述通孔至下侧形成一正压差值，调整所述调整结构以改变所述调整结构形成的出风口面积而改变所述正压差值的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 调整 装置 | ||
【主权项】：
一种压力调整装置，包括一收容室，所述收容室具有一底部，并在所述底部上设有若干与外界连通的通风孔，其特征在于：所述收容室内装设有独立送风单元及调整结构，所述调整结构具有上侧和下侧，所述调整结构设有若干通孔作为出风孔，所述调整结构的上侧连通所述独立送风单元，所述调整结构的下侧连通所述底部，所述调整结构的上侧与其下侧间由于所述独立送风单元的风流由上侧流经所述通孔至下侧形成一正压差值，调整所述调整结构以改变所述调整结构形成的出风口面积而改变所述正压差值的大小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳新松机器人自动化股份有限公司，未经沈阳新松机器人自动化股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120561370.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种处置多品种、多相态废弃物的焚烧方法
- 下一篇：接触器组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
