[实用新型]中大功率半导体器件压点的金属连线结构有效
| 申请号： | 201120570411.6 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN202434506U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 | 申请（专利权）人： | 福建福顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350018 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种中大功率半导体器件压点的金属连线结构，包括设有体区和压点区的中大功率半导体器件，所述体区上设有第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层中部设有深度穿透第一介质薄膜层至压点区的沟槽和接触孔；所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由下往上依次设有钛钨过渡层和第一层压点连线金属层；所述第一介质薄膜层上设有第二介质薄膜层，所述第二介质薄膜层中部设有深度穿透第二介质薄膜层至第一介质薄膜层的沟槽和接触孔；所述第二介质薄膜层的沟槽内设有第二层压点连线金属层；所述第二介质薄膜层上设有表面钝化保护层，所述表面钝化保护层的中部设有深度穿透表面钝化保护层至第二介质薄膜层的压点凹槽。该结构有效地消除产品失效机制、提高产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 半导体器件 金属 连线 结构 | ||
【主权项】：
一种中大功率半导体器件压点的金属连线结构，包括设有体区和压点区的中大功率半导体器件，其特征在于：所述体区上设有第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层中部设有沟槽和接触孔，所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔的深度穿透第一介质薄膜层至压点区；所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由下往上依次设有钛钨过渡层和第一层压点连线金属层；所述第一介质薄膜层上设有第二介质薄膜层，所述第二介质薄膜层中部设有沟槽和接触孔，所述第二介质薄膜层的沟槽和接触孔的深度穿透第二介质薄膜层至第一介质薄膜层；所述第二介质薄膜层的沟槽内设有第二层压点连线金属层；所述第二介质薄膜层上设有表面钝化保护层，所述表面钝化保护层的中部设有压点凹槽，所述压点凹槽的深度穿透表面钝化保护层至第二介质薄膜层。
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