[实用新型]一种快速制备大范围垂直取向石墨烯的装置有效
申请号: | 201120570870.4 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN202465870U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 薄拯;岑可法;严建华;王智化;池涌 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C16/503 | 分类号: | C23C16/503;C23C16/26;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种快速制备大范围垂直取向石墨烯的装置。它包括加热炉、多锥电极、高压负电电源、石英管、基底、陶瓷绝缘体和电动平移台;多锥电极、基底和陶瓷绝缘体布置在石英管内,石英管放置在加热炉内;基底面对多锥电极锥尖;基底与电动平移台相连;基底接地,多锥电极与高压负电电源相连。制备过程由基底加热、基底平移并与多锥电极之间气体放电、基底还原、以及基底降温等四个步骤组成。本实用新型可实现垂直取向石墨烯在基底表面的一步式常压快速大面积生长,无需催化剂或粘合剂。所获石墨烯纳米片近似垂直于基底表面,尤其适用于场致发射、纳米级等离子体、超级电容器和二次电池等应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 制备 范围 垂直 取向 石墨 装置 | ||
【主权项】:
一种快速制备大范围垂直取向石墨烯的装置,其特征是包括加热炉(1)、多锥电极(2)、高压负电电源(3)、石英管(4)、基底(5)、陶瓷绝缘体(6)和电动平移台(7);多锥电极(2)、基底(5)和绝缘陶瓷体(6)布置在石英管(4)内,石英管(4)放置在加热炉(1)内;基底(5)面对多锥电极(2)锥尖;基底(5)与电动平移台(7)相连;基底(5)接地,多锥电极(2)与高压负电电源(3)相连。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的