[实用新型]一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置

摘要

本实用新型公开了一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置，包括放电腔室、阳极、铈钨阴极、绝缘层、水冷铜板、拉瓦尔喷嘴、阴极本体和绝缘管，阴极本体通过绝缘管与放电腔室的顶部连接，铈钨阴极套装于阴极本体和绝缘管中，在阴极本体上设有氩气、氢气的导入口和冷却水的进口及出口，在放电腔室的底部设有绝缘层和水冷铜板，绝缘层-水冷铜板上下交错叠加3-7次，其中最下面一层为水冷铜板(12)，该水冷铜板(12)与阳极(16)直接接触，其上设有氨气气源的导入口(14)和通道；在阳极上设有硅烷气源的导入口及通道，在拉瓦尔喷嘴上的出口附近设有导出硅烷气源的雾化喷嘴。本实用新型高密度等离子体，又能简化减反射薄膜的制备工艺。

主权项

一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置，包括放电腔室(7)、阳极(16)、铈钨阴极(2)、绝缘层(13)、水冷铜板(12)和拉瓦尔喷嘴(17)，在放电腔室(7)的底部设有绝缘层(13)，在绝缘层(13)下设有水冷铜板(12)，绝缘层‑水冷铜板上下交错叠加3‑7次，每个水冷铜板(12)上设有冷却水的进口(8)、出口(15)及通道，阳极(16)位于绝缘层‑水冷铜板的叠加层下，其上设有拉瓦尔喷嘴(17)，其特征在于：a.在放电腔室(7)的上方设有一阴极本体(3)，阴极本体(3)通过耐高温的绝缘管(6)与放电腔室(7)的顶部连接，铈钨阴极(2)套装于阴极本体(3)和绝缘管(6)中，其上端穿出阴极本体(3)位于密封罩(1)内，其下端穿出绝缘管(6)位于放电腔室(7)内，在阴极本体(3)上设有逆变直流电源的接头(5)、氩气、氢气的导入口(10)和冷却水的进口(4)及出口(11)；b.所述绝缘层‑水冷铜板叠加层的最下面一层为水冷铜板(12)，该水冷铜板(12)与阳极(16)直接接触，其上设有氨气气源的导入口(14)和通道；c.在阳极(16)上设有硅烷气源的导入口(9)及通道，在拉瓦尔喷嘴(17)上的出口附近设有导出硅烷气源的雾化喷嘴(18)。