[实用新型]一种MOSFET驱动电路有效

专利信息
申请号: 201120575674.6 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN202374169U 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 吴剑辉;詹桦;吴建兴 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种MOSFET驱动电路:电平转换模块将低压信号转换为高压信号;第一级驱动模块接收高压信号,各级驱动模块依次串联,第N级驱动模块驱动开关模块的栅端;每一级驱动模块包括上驱动MOS管、下驱动MOS管和控制管,第N级驱动模块的控制管控制开关模块的栅源电压,第i-1级驱动模块的控制管控制第i级驱动模块的上驱动MOS管和/或下驱动MOS管的栅源电压;钳位模块为控制管钳位驱动管的栅源电压提供偏置电压;控制管控制MOSFET驱动电路的各MOS管的栅源电压,避免MOSFET驱动电路的最高工作电压VIN受到MOSFET驱动电路的各MOS管的栅源耐压的限制,提高了MOSFET驱动电路的工作电压范围。
搜索关键词: 一种 mosfet 驱动 电路
【主权项】:
一种MOSFET驱动电路,其特征在于,包括:电平转换模块,所述电平转换模块在控制信号的控制下,将输入端输入的低压信号转换为高压信号,所述高压信号通过输出端输出;N级驱动模块,所述N为大于等于1的正整数,所述第一级驱动模块连接电平转换模块的输出端,接收高压信号,各级驱动模块依次串联,第N级驱动模块的输出端驱动开关模块的栅端;每一级驱动模块包括上驱动MOS管、下驱动MOS管和控制管,上驱动MOS管的第一端连接电源端,下驱动管的第一端接地,上驱动MOS管的第二端和下驱动MOS管的第二端之间连接控制管,第N级驱动模块的控制管控制开关模块的栅源电压,第i‑1级驱动模块的控制管控制第i级驱动模块的上驱动MOS管和/或下驱动MOS管的栅源电压,其中1<=i<N的任意正整数;钳位模块,所述钳位模块连接在电源和地之间,钳位模块的输出端连接各控制管的栅端,为控制管钳位驱动管的栅源电压提供偏置电压;开关模块,所述开关模块的第一控制端连接电源,第二控制端作为MOSFET驱动电路的输出端,所述开关模块的栅极连接驱动模块的输出端。
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