[实用新型]一种顶栅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201120577308.4 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN202405325U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种顶栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在具有条状的凸齿的衬底表面上，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形，多晶硅薄膜均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种顶栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在具有条状的凸齿的衬底表面上，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形，多晶硅薄膜均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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