[实用新型]一种多晶硅薄膜有效
申请号: | 201120577309.9 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN202405264U | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 | 申请(专利权)人: | 广东中显科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/786 |
代理公司: | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人: | 苗青盛;王凤华 |
地址: | 528225 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种多晶硅薄膜,该薄膜生长在具有V字型凹槽或V字型凸起的衬底表面上,该多晶硅薄膜均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁,部分多晶硅薄膜被掺杂,部分多晶硅薄膜未掺杂,其特征在于,掺杂的部分形成搭桥晶粒线。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 薄膜 | ||
【主权项】:
一种多晶硅薄膜,该薄膜生长在具有V字型凹槽或V字型凸起的衬底表面上,该多晶硅薄膜均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁,部分多晶硅薄膜被掺杂,部分多晶硅薄膜未掺杂,其特征在于,掺杂的部分形成搭桥晶粒线。
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