[发明专利]氮化物系化合物半导体基板的制造方法及氮化物系化合物半导体自支撑基板无效
| 申请号： | 201180000506.7 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102245814A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 森冈理;高草木操;三上充;清水孝幸 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可防止氮化物系化合物半导体层产生翘曲、能够使面内偏角的偏差小的氮化物系化合物半导体层以良好的再现性生长的技术。在利用HVPE法制造氮化物系化合物半导体基板的方法中，在第1生长温度下，在稀土类钙钛矿基板上形成低温保护层(第1步骤)，在高于第1生长温度的第2生长温度下，在该低温保护层上形成包含氮化物系化合物半导体的厚膜层(第2步骤)。在第1步骤中，对HCl及NH3的供给量进行调整，使HCl与NH3的供给比III/V为0.016~0.13，形成膜厚50~90nm的低温保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 制造 方法 支撑 | ||
【主权项】：
氮化物系化合物半导体基板的制造方法，该方法利用氢化物气相生长法（HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy），使由III族金属和HCl生成的氯化物气体与NH3反应，从而使氮化物系化合物半导体在基板上进行外延生长，其特征在于，该制造方法具有下述步骤：第1步骤，在第1生长温度下，在稀土类钙钛矿基板上形成低温保护层，和第2步骤，在高于上述第1生长温度的第2生长温度下，在上述低温保护层上形成包含氮化物系化合物半导体的厚膜层，并且在上述第1步骤中，对HCl及NH3的供给量进行调整，使HCl与NH3的供给比III/V为0.016~0.13，形成膜厚为50~90nm的上述低温保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉坤日矿日石金属株式会社，未经吉坤日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180000506.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
