[发明专利]固体摄像器件有效

专利信息
申请号: 201180001296.3 申请日: 2011-03-07
公开(公告)号: CN102334189A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 舛冈富士雄;原田望 申请(专利权)人: 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/357;H04N5/361;H04N5/374;H04N9/07
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 赵根喜;冯志云
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 固体摄像器件的像素(11)具备:第1导电型的第1半导体层(1),形成于衬底上;第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层(2);第1导电型的第3半导体层(5a、5b),形成于第2半导体层(2)的上部侧面区域;第2导电型的第4半导体层(6a、6b),形成于第3半导体层(5a、5b)的外侧面区域;栅极导体层(4a、4b),隔着绝缘膜(3a、3b)而形成于第2半导体层(2)的下部侧面区域;以及第2导电型的第5半导体层(7),形成于第2半导体层(2)和第3半导体层(5a、5b)的上面;且第5半导体层(7)和第4半导体层(6a、6b)为相连接,且至少第3半导体层(5a、5b)、第2半导体层(2)的上部区域、第4半导体层(6a、6b)、以及第5半导体层(7)形成于岛状形状内。
搜索关键词: 固体 摄像 器件
【主权项】:
一种固体摄像器件,具有1个或多个像素,其中,前述像素由下列构件所构成:第1半导体层,形成于衬底上;第2半导体层,形成于前述第1半导体层上;第1绝缘膜,形成于前述第2半导体层的下部的侧面;栅极导体层,隔着前述第1绝缘膜而形成于前述第2半导体层的下部的侧面;第3半导体层,形成于前述第2半导体层的上部的侧面;第4半导体层,形成于未和前述第2半导体层的侧面相对向的前述第3半导体层的侧面;以及第5半导体层,形成于前述第2半导体层和前述第3半导体层的上部,且和前述第4半导体层作电性连接,至少前述第3半导体层、前述第2半导体层中形成有前述第3半导体层的上部区域、前述第4半导体层、以及前述第5半导体层形成于岛状形状内,前述第2半导体层和前述第3半导体层形成二极管,前述二极管具有栅极的功能,且前述第1半导体层和前述第5半导体层间的前述第2半导体层具有沟道的功能,藉此而形成接合晶体管,位于前述第1半导体层和前述第3半导体层之间的第2半导体层具有沟道的功能,且前述栅极导体层具有栅极的功能,藉此而形成MOS晶体管,将因电磁能量波的照射而产生的信号电荷蓄积于前述二极管,依据蓄积于前述二极管的信号电荷量而产生变化,流通于前述接合晶体管的电流作为信号而被检测,蓄积于前述二极管的信号电荷通过前述MOS晶体管的沟道,而于前述第1半导体层被去除,前述第4半导体层和前述第5半导体层的电压为相同的电压。
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