[发明专利]固体摄像器件有效
申请号: | 201180001296.3 | 申请日: | 2011-03-07 |
公开(公告)号: | CN102334189A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 舛冈富士雄;原田望 | 申请(专利权)人: | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/361;H04N5/374;H04N9/07 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;冯志云 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 固体摄像器件的像素(11)具备:第1导电型的第1半导体层(1),形成于衬底上;第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层(2);第1导电型的第3半导体层(5a、5b),形成于第2半导体层(2)的上部侧面区域;第2导电型的第4半导体层(6a、6b),形成于第3半导体层(5a、5b)的外侧面区域;栅极导体层(4a、4b),隔着绝缘膜(3a、3b)而形成于第2半导体层(2)的下部侧面区域;以及第2导电型的第5半导体层(7),形成于第2半导体层(2)和第3半导体层(5a、5b)的上面;且第5半导体层(7)和第4半导体层(6a、6b)为相连接,且至少第3半导体层(5a、5b)、第2半导体层(2)的上部区域、第4半导体层(6a、6b)、以及第5半导体层(7)形成于岛状形状内。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,具有1个或多个像素,其中,前述像素由下列构件所构成:第1半导体层,形成于衬底上;第2半导体层,形成于前述第1半导体层上;第1绝缘膜,形成于前述第2半导体层的下部的侧面;栅极导体层,隔着前述第1绝缘膜而形成于前述第2半导体层的下部的侧面;第3半导体层,形成于前述第2半导体层的上部的侧面;第4半导体层,形成于未和前述第2半导体层的侧面相对向的前述第3半导体层的侧面;以及第5半导体层,形成于前述第2半导体层和前述第3半导体层的上部,且和前述第4半导体层作电性连接,至少前述第3半导体层、前述第2半导体层中形成有前述第3半导体层的上部区域、前述第4半导体层、以及前述第5半导体层形成于岛状形状内,前述第2半导体层和前述第3半导体层形成二极管,前述二极管具有栅极的功能,且前述第1半导体层和前述第5半导体层间的前述第2半导体层具有沟道的功能,藉此而形成接合晶体管,位于前述第1半导体层和前述第3半导体层之间的第2半导体层具有沟道的功能,且前述栅极导体层具有栅极的功能,藉此而形成MOS晶体管,将因电磁能量波的照射而产生的信号电荷蓄积于前述二极管,依据蓄积于前述二极管的信号电荷量而产生变化,流通于前述接合晶体管的电流作为信号而被检测,蓄积于前述二极管的信号电荷通过前述MOS晶体管的沟道,而于前述第1半导体层被去除,前述第4半导体层和前述第5半导体层的电压为相同的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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