[发明专利]铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法有效
| 申请号： | 201180001739.9 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102439724A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 江安全;刘骁兵 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/8247;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 中国上海市邯*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法，属于存储器技术领域。该铁电阻变存储器包括上电极(101)、下电极(103)以及设置于该上电极(101)和下电极(103)之间的用作存储层的铁电半导体薄膜层(102)；其中，该铁电半导体薄膜层(102)可被操作地通过铁电电畴产生二极管导通特性、并可被操作地通过该电畴的变化调制该二极管导通特性；该铁电阻变存储器根据该二极管导通特性的调制变化存储信息。该铁电阻变存储器具有结构简单、制备方法简单、可非破坏性读取、且非易失性存储的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 操作方法 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
