[发明专利]薄膜晶体管器件的制造方法、薄膜晶体管器件以及显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管器件的制造方法、薄膜晶体管器件以及显示装置。该薄膜晶体管器件的制造方法包括：在基板上形成多个栅电极的工序(S11)；在多个栅电极上形成栅极绝缘层的工序(S12)；在栅极绝缘层上形成非晶硅层的工序(S13)；使用预定激光使非晶硅层结晶化而生成结晶硅层的工序(S14)；以及在与多个栅电极各自对应的所述结晶硅层上的区域形成源电极和漏电极的工序(S18)，所述栅极绝缘层的膜厚、非晶硅层的膜厚形成为满足预定的条件式。由此，能够使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜。

主权项

一种薄膜晶体管器件的制造方法，包括：第一工序，准备基板；第二工序，在所述基板上形成多个栅电极；第三工序，在所述多个栅电极上形成绝缘层；第四工序，在所述绝缘层上形成非晶硅层；第五工序，使波长405nm以上且488nm以下的预定激光器相对于所述基板在一定方向上相对移动，使用从所述预定激光器照射的激光使所述非晶硅层结晶化而生成结晶硅层；以及第六工序，在与所述多个栅电极各自对应的所述结晶硅层上的区域形成源电极和漏电极，将对所述非晶硅层的光学膜厚除以所述激光的波长而得到的值设为X，所述非晶硅层的光学膜厚为对所述非晶硅层的膜厚乘以所述非晶硅层的折射率而得到的值，将对所述绝缘层的光学膜厚除以所述激光的波长而得到的值设为Y，所述绝缘层的光学膜厚为对所述绝缘层的膜厚乘以所述绝缘层的折射率而得到的值，进一步，将所述非晶硅层的密度设为ρSi，将所述非晶硅层的比热设定为cSi，将所述栅电极的膜厚设为dG，将所述栅电极的密度设定为ρG，将所述栅电极的比热设为cG，将所述栅电极上方的硅层和不在所述栅电极的上方的硅层各自对于所述激光的光吸收率相等时的所述栅电极的吸收率的最大值设为AG，将通过(AG/dG)×(ρSi×cSi)/(ρG×cG)这一算式算出的值设为ΔA’，则所述绝缘层的膜厚和所述非晶硅层的膜厚满足属于通过以下式(1)至式(4)区划的范围的所述X和所述Y，式(1)Y≤‑0.5634X+(0.8357+27.083×ΔA’)式(2)Y≤0.5634X+(0.2363+27.083×ΔA’)式(3)Y≥‑0.548X+(0.6545‑29.167×ΔA’)式(4)Y≥0.548X+(0.0715‑29.167×ΔA’)。