[发明专利]图像传感器及其操作方法无效
申请号: | 201180002316.9 | 申请日: | 2011-02-09 |
公开(公告)号: | CN102449766A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 金成珍;韩相旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王兆赓;韩明星 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种图像传感器以及操作图像传感器的方法。图像传感器的至少一个像素包括:检测部分,包括具有不同锁定电压的多个掺杂区;解调部分,用于从检测部分接收电子并对接收的电子进行解调。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,所述图像传感器的至少一个像素包括:检测部分,用于转移在接收到光之后检测部分产生的电子,检测部分包括具有不同锁定电压的多个掺杂区以在检测部分中施加电场,从而向所述像素的解调部分转移电子;解调部分,用于向至少一个节点转移电子,以累积一个或多个电子。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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