[发明专利]半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201180002463.6 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102474068A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 竹中义彰 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01L23/473 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光器装置采用了直接对封装(5)内部的散热器(2)流过冷却介质、并且确保封装(5)内部的气密性的构造。因此，能够抑制半导体激光器元件(1)以及封装(5)内部的温度上升，能够确保半导体激光器装置的可靠性、质量，并且可以搭载更高输出的半导体激光器元件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器装置，具备框体、设置在所述框体内并且在内部具有冷却介质通路的散热器、和直接或者间接地安装在所述散热器上的激光射出部，在所述框体的壁面，设置用于从所述框体外向所述散热器的所述冷却介质通路供给冷却介质的第1贯通孔、和用于从所述散热器的所述冷却介质通路向所述框体外排出冷却介质的第2贯通孔，在所述框体内的所述第1贯通孔的外周配置第1密封部件，在所述第2贯通孔的外周配置第2密封部件。
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