[发明专利]非易失性存储装置以及其驱动方法无效
| 申请号： | 201180002514.5 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102473457A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 饭岛光辉;高木刚;片山幸治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的非易失性存储装置的驱动方法，包括：从多个存储单元(11)中检测过低电阻单元的步骤(S101)；将负载电阻(121)的电阻值变更为比第一电阻值低的第二电阻值的步骤(S103)；以及，通过向由过低电阻单元和具有第二电阻值的负载电阻(121)构成的串联电路施加电压脉冲，从而将过低电阻单元中包括的电阻变化元件(105)成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态的步骤(S104)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置的驱动方法，该非易失性存储装置包括多个存储单元以及可变负载电阻，所述多个存储单元包括具有非线性的电流‑电压特性的二极管以及串联连接于该二极管的电阻变化元件，所述可变负载电阻串联连接于所述多个存储单元，在所述非易失性存储装置的驱动方法中，在由所述存储单元和具有第一电阻值的所述可变负载电阻构成的串联电路中，向所述串联电路施加第一低电阻化电脉冲，来使所述电阻变化元件从第一高电阻状态变化为第一低电阻状态，向所述串联电路施加第一高电阻化电脉冲，来使所述电阻变化元件从所述第一低电阻状态变化为所述第一高电阻状态，从而使所述电阻变化元件在所述第一低电阻状态与所述第一高电阻状态之间可逆转变，所述非易失性存储装置的驱动方法，包括：检测步骤，检测所述多个存储单元之中的过低电阻单元，该过低电阻单元包括电阻值比所述第一低电阻状态低的第二低电阻状态的电阻变化元件；第一可变电阻值变更步骤，将所述可变负载电阻的电阻值，从所述第一电阻值变更为比所述第一电阻值低的第二电阻值；以及第二高电阻化写入步骤，通过向由所述过低电阻单元和具有所述第二电阻值的所述可变负载电阻构成的串联电路施加第二高电阻化电脉冲，从而将所述过低电阻单元中包括的所述电阻变化元件，从所述第二低电阻状态成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态。
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