[发明专利]发光二极管

摘要

本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。

主权项

一种发光二极管，其特征在于：具有：n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层、p侧电极和n侧电极，其中，所述n型氮化物半导体层、所述多重量子阱层、所述p型氮化物半导体层、所述窗电极层和所述p侧电极，以此顺序层叠，所述n侧电极与所述n型氮化物半导体层电连接，所述窗电极层，具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，所述p型氮化物半导体层，与所述单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜，与单晶n型ZnO透明电极膜接触，所述p侧电极，与所述单晶n型ZnO透明电极膜电连接，所述单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜，具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜，具有1.1nm以上55nm以下的厚度，所述发光二极管，还具有在所述单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，所述各单晶ZnO棒的下部，具有从所述单晶ZnO透明电极膜向所述n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。