[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法

摘要

提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。

主权项

一种非易失性存储装置，是电阻值根据被施加的电脉冲的极性而变化的电阻变化型的非易失性存储装置，具备：第1电极层，形成在半导体基板上；电阻变化层，形成在上述第1电极层上；以及第2电极层，形成在上述电阻变化层上；上述电阻变化层由形成在上述第1电极层上的缺氧型的第1金属氧化物层、和形成在上述第1金属氧化物层上且具有比上述第1金属氧化物层的缺氧度小的缺氧度的第2金属氧化物层构成；上述第2金属氧化物层是具有用TaOy表示的组成的钽氧化物层，具有由多个柱状体构成的柱状构造，其中，2.1≤y。