[发明专利]结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置

摘要

本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置。结晶性半导体膜的制造方法包括：第1工序，在基板的上方形成金属层；第2工序，对金属层进行图案形成，在多个像素(20)的各像素内形成栅电极；第3工序，在多个栅电极上形成栅极绝缘膜；第4工序，在栅极绝缘膜上形成非晶质半导体膜；以及第5工序，照射激光而使非晶质半导体膜结晶化，激光的激光照射宽度与像素(20)的宽度的n倍对应，n为2以上的整数，激光的激光照射宽度的一端部的激光能量强度比另一端部的激光能量强度高，在第5工序中，激光的激光能量强度构成为，激光照射宽度的一端部的激光能量强度和另一端部的激光能量强度按每n个像素而反转。

主权项

一种结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，在基板的上方形成金属层；第2工序，对所述金属层进行图案形成，形成多个栅电极，以使得呈矩阵状设置的多个像素的各像素内至少包括一个栅电极；第3工序，在所述多个栅电极上形成栅极绝缘膜；第4工序，在所述栅极绝缘膜上形成非晶质半导体膜；以及第5工序，通过扫描预定激光来对所述非晶质半导体膜照射所述预定激光，使所述非晶质半导体膜结晶化而形成结晶性半导体膜，扫描所述预定激光时的激光照射宽度与所述像素的宽度的n倍对应，在此，n为2以上的整数，所述激光照射宽度的一端部的激光能量强度比所述激光照射宽度的另一端部的激光能量强度高，在所述第5工序中，所述预定激光的激光能量强度构成为，所述激光照射宽度的一端部的激光能量强度和所述激光照射宽度的另一端部的激光能量强度按每n个像素而反转。