[发明专利]碳化硅衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、碳化硅衬底及半导体器件

摘要

本发明公开了一种能够降低制造成本的用于制造碳化硅衬底的方法，该方法包括下列步骤：准备基底衬底(10)和SiC衬底(20)；通过在彼此的顶部上放置基底衬底(10)和SiC衬底(20)来制造层叠衬底；通过加热接合衬底来制作接合衬底(3)；通过加热接合衬底(3)使基底衬底(10)的温度高于SiC衬底(20)的温度而使在接合界面(15)处形成的空洞(30)在接合衬底(3)的厚度方向上移动；以及通过去除在与SiC衬底(20)相反侧上包括主要衬底(10B)的基底衬底(10)的区域来去除空洞(30)。

主权项

一种用于制造碳化硅衬底(1)的方法，包括下列步骤：准备由碳化硅制成的基底衬底(10)和由单晶碳化硅制成的SiC衬底(20)；通过堆叠所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)以使得所述基底衬底(10)和SiC衬底(20)的主表面彼此接触，来制造堆叠衬底(2)；通过加热所述堆叠衬底(2)以使所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接，来制造连接衬底(3)；通过加热所述连接衬底(3)以在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成温度差，来使得在制造所述连接衬底(3)的步骤中在所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间的界面(15)处形成的空洞(30)在所述连接衬底(3)的厚度方向上转移；以及通过去除包含所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)中的一个衬底(10)的主表面(10B)的区域来去除所述空洞(30)，所述一个衬底(10)在转移所述空洞(30)的步骤中被加热到具有较高温度，所述一个衬底(10)的所述主表面(10B)与所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)中的另一个衬底(20)相反。