[发明专利]薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201180003938.3 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103038887A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林宏;川岛孝启;河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜半导体器件及其制造方法。本发明的薄膜半导体器件(10)具备：基板(1)；栅电极(2)，其形成在基板的上方；栅极绝缘膜(3)，其形成在栅电极上；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上，由多晶半导体层(4)形成；非晶半导体层(5)，其形成在沟道层上、并在表面具有凸形状；源电极(8S)和漏电极(8D)，其形成在非晶半导体层的上方，非晶半导体层(5)的沟道层侧的第一部分(51)的电阻率比非晶半导体层(5)的源电极及漏电极侧的第二部分(52)的电阻率小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜半导体器件，具备：基板；栅电极，其形成在所述基板的上方；栅极绝缘膜，其形成在所述栅电极上；沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上，由多晶半导体层形成；非晶半导体层，其形成在所述沟道层上、并在表面具有凸形状；以及源电极和漏电极，其形成在所述非晶半导体层的上方，所述非晶半导体层的所述沟道层侧的第一部分的电阻率比所述非晶半导体层的所述源电极及所述漏电极侧的第二部分的电阻率小。
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