[发明专利]门控III-V半导体结构和方法有效
| 申请号： | 201180004026.8 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102576727A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | J·R·席利 | 申请（专利权）人： | 康奈尔大学;R·布朗;J·R·席利 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 杨颖;张一军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 门控III-V半导体结构和用于制作门控III-V半导体结构的方法，包括在阈值修改掺杂物区域，所述阈值修改掺杂物区域在穿透钝化层的孔基部的III-V半导体阻挡层内，所述钝化层钝化III-V半导体阻挡层。可包含铝-硅氮化物材料的钝化层具有特定的带隙和介电常数特性，这些特性决定了由没有场板的III-V半导体结构所能得到的III-V半导体器件的增强性能。阈值修改掺杂物区域提供用于在同一个基底上形成增强模式门控III-V半导体结构和耗尽模式III-V半导体结构的可能性。阈值修改掺杂物区域在包括镁(Mg)阈值修改掺杂物时，可以通过使用二戊基镁(Cp2Mg)气相扩散法或镁-硅氮化物(MgSiN)固态扩散法被引入门控III-V半导体结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 门控 iii 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：包含第一III‑V半导体材料的阻挡层，所述阻挡层位于缓冲层上，所述缓冲层包含第二III‑V半导体材料且又位于基底上，所述第二III‑V半导体材料与所述第一III‑V半导体材料不同；包含铝‑硅氮化物材料的钝化层，所述钝化层位于所述阻挡层上且包括孔，该孔暴露位于所述阻挡层内的阈值修改掺杂物区域；栅极，所述栅极与位于所述阻挡层内的所述阈值修改掺杂物区域接触。
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