[发明专利]碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法无效
| 申请号： | 201180004389.1 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102597339A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木信 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC晶体(10)，其特征在于，其Fe浓度为0.1ppm以下，且其Al浓度为100ppm以下。本发明还公开了一种制造SiC晶体的方法，包括以下步骤。准备研磨用SiC粉末作为第一原料(17)。利用加热使所述第一原料(17)升华，并析出SiC晶体，从而生长第一SiC晶体(11)。粉碎所述第一SiC晶体(11)而形成第二原料(12)。通过利用加热使所述第二原料(12)升华，并析出SiC晶体，从而生长第二SiC晶体(14)。由此可获得能够抑制品质下降的SiC晶体和制造SiC晶体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体(10)，其铁浓度不高于0.1ppm，且其铝浓度不高于100ppm。
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