[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置有效
| 申请号： | 201180004647.6 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102630335A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 岩尾文子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包括：在基板(11)上形成抗蚀剂层(13)的工序；对抗蚀剂层进行曝光、显影来形成抗蚀剂图案的工序；细化抗蚀剂图案的细化工序；在细化了的抗蚀剂图案的侧壁部形成掩模材料层的工序；以及去除细化了的抗蚀剂图案的工序，细化工序包括：在基板上涂布膨胀剂(14)的涂布工序(c)；使膨胀剂膨胀的工序(d)；以及去除膨胀了的膨胀剂的工序(f)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成抗蚀剂层的工序；对所述抗蚀剂层进行曝光、显影来形成抗蚀剂图案的工序；细化所述抗蚀剂图案的细化工序；在细化了的所述抗蚀剂图案的侧壁部形成掩模材料层的工序；以及去除细化了的所述抗蚀剂图案的工序；其中，所述细化工序包括：在所述基板上涂布膨胀剂的涂布工序；使所述膨胀剂膨胀的工序；以及去除膨胀了的所述膨胀剂的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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