[发明专利]光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统有效
| 申请号： | 201180004738.X | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102686314A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 铃木孝浩;野村幸生;田村聪;羽藤一仁;谷口升;德弘宪一;宫田伸弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J23/20;B01J23/648;B01J35/02;C01B3/04;C01G33/00;H01M8/00;H01M8/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 以及 半导体设备 触媒 生成 设备 能量 系统 | ||
【主权项】：
一种光半导体，其实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。
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