[发明专利]高介电性膜无效
| 申请号： | 201180004932.8 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102666682A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 立道麻有;高野奈菜子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;向井惠吏;高明天 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08K3/20;C08L27/16;H01B3/00;H01G4/18;H01G4/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种，(B1)为周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)为式(1)M1a1Nb1Oc1(式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1为0.9～1.1；b1为0.9～1.1；c1为2.8～3.2；M1和N分别可以为两种以上金属元素)所示的无机复合氧化物颗粒；(B3)为周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的氧化物与氧化硅的无机复合氧化物颗粒。该膜在维持VdF系树脂的高相对介电常数的同时提高体积电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电性膜 | ||
【主权项】：
一种高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中：成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种：(B1)周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)式(1)所示的无机复合氧化物颗粒：M1a1Nb1Oc1所述式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1为0.9～1.1；b1为0.9～1.1；c1为2.8～3.2；M1和N分别可以为两种以上金属元素；(B3)周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的氧化物与氧化硅的无机氧化物复合颗粒。
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