[发明专利]一种在晶圆上精确定位晶向的方法及其结构有效
| 申请号： | 201180004936.6 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102782803A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 聚日（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于在晶圆上确定晶向的方法及其结构，该方法包括：a）提供半导体晶圆，在晶圆表面形成掩膜，对晶圆上的掩膜层图形化，刻蚀所述掩膜层，形成两个相反的同心圆弧组或者形成一个同心圆弧组以及该同心圆弧组的共同圆心，每个圆弧组包括至少两条同心圆弧，在每条同心圆弧上形成多个露出晶圆表面的圆形开口，其中各圆形开口之间相互交错排列；b）各向异性腐蚀晶圆，在圆形开口下腐蚀出六边形凹坑；c）根据相邻六边形凹坑对顶角之间的相对位置关系确定晶向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆上 精确 定位 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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