[发明专利]铟靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201180004983.0 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102656291A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;前川贵诚 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在抑制异常放电发生的同时可达到高溅射速度的铟靶材及其制造方法。在铟锭熔解铸造时的凝固过程中，至少对处于即将凝固状态的熔融铟溶液施加超声波振动，以抑制结晶粒径粗化。由此，提供如下的铟靶材：总体的平均结晶粒径为10mm以下；就从平行于板厚度方向的截面观察到的晶粒而言，板厚度方向的平行方向的晶粒平均粒径与板厚度方向的垂直方向的晶粒平均粒径之比为0.7~1.1；孔径为50μm以上的空隙为1个/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 铟靶材 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铟靶材，其中，总体的平均结晶粒径为10mm以下；就从平行于板厚度方向的截面观察到的晶粒而言，板厚度方向的平行方向的晶粒平均粒径与板厚度方向的垂直方向的晶粒平均粒径之比为0.7~1.1；孔径为50μm以上的空隙为1个/cm3以下。
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