[发明专利]气相生长装置、气相生长方法、及半导体元件的制造方法

摘要

在本气相生长方法中，通过使V族原料气体导入配管（42）的内径（W1）大于III族原料气体导入配管（44）的外径（W2），将III族原料气体导入配管（44）以1对1的方式插入到V族原料气体导入配管（42）的内部，从而可防止III族原料气体配管（44）被冷却机构冷却，抑制金属材料凝固到配管壁面。由此，可提供一种将易凝固的金属材料有效地导入反应炉而不会使其附着于喷淋头或配管的壁面、从而能进行有效掺杂的气相生长装置、气相生长方法及半导体元件的制造方法。

主权项

一种气相生长装置，该气相生长装置将III族原料气体和V族原料气体经由喷淋式气体提供机构（20）提供到收纳被成膜基板（3）的生长室（1）内，使其在所述生长室（1）内进行混合，以将所述被成膜基板（3）进行成膜，该喷淋式气体提供机构（20）配置有分别进行独立喷射的、具有多个III族原料气体喷射孔（43）的III族原料气体导入配管（44）和具有多个V族原料气体喷射孔（41）的V族原料气体导入配管（42），其特征在于，在所述喷淋式气体提供机构（20）中，层叠配置有分别导入所述V族原料气体和所述III族原料气体且彼此隔离的V族原料气体缓冲区域（23）和III族原料气体缓冲区域（24），所述喷淋式气体提供机构（20）包含与所述生长室（1）相接的喷淋板（21），在所述喷淋式气体提供机构（20）中，在所述喷淋板（21）与所述V族原料气体缓冲区域（23）之间设置有用于对所述喷淋板（21）进行冷却的冷却机构（22），所述V族原料气体导入配管（42）的内径（W1）大于所述III族原料气体导入配管（44）的外径（W2），所述III族原料气体导入配管（44）以1对1的方式位于所述V族原料气体导入配管（42）的内部。