[发明专利]碳化硅衬底、半导体器件、制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法

摘要

碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述区域的数目至多为每1cm21×104，该区域在与偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏离方向的方向上具有不大于通过将激发光（LL）在六方碳化硅中的穿透长度除以偏离角的正切获得的值的尺寸。因此，能够减少反向漏电流。

主权项

一种碳化硅衬底(80)，包括：侧表面；和主表面(M80)，所述主表面(M80)由所述侧表面围绕；其中所述碳化硅衬底具有六方晶体结构；所述主表面从所述六方晶体的{0001}面在偏离方向上以偏离角倾斜；并且所述主表面具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙高的能量的激发光(LE)引起的、所述主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光(LL)的发光区域当中，下述发光区域的数目至多为每1cm21×104，所述发光区域在与所述偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于所述偏离方向的方向上具有不大于通过将所述激发光在六方碳化硅中的穿透长度除以所述偏离角的正切获得的值的尺寸，并且所述发光区域比周围区域发射更高强度的光，其中，所述碳化硅衬底具有n型导电性。