[发明专利]用于基于自旋扭矩的存储器装置的读取方向有效
| 申请号： | 201180005111.6 | 申请日： | 2011-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102687202A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | D·C·沃莱吉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于自旋扭矩的存储器装置包括：在阵列中的多个磁存储基元，每一个磁存储基元包括至少一个磁隧道结（MTJ）元件；以及与所述多个磁存储基元对应的至少一条位线和至少一条位补线。通过沿第一方向或第二方向驱动写入电流以将每一个相应的MTJ元件编程为低电阻状态或高电阻状态而写入所述相应的MTJ元件，并且，通过沿倾向于将每一个相应的MTJ元件干扰成高电阻状态的方向驱动读取电流通过所述相应的MTJ元件而读取所述相应的MTJ元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 自旋 扭矩 存储器 装置 读取 方向 | ||
【主权项】：
一种基于自旋扭矩的存储器装置，包括：在阵列中的多个磁存储基元，每一个磁存储基元包括至少一个磁隧道结（MTJ）元件；以及与所述多个磁存储基元对应的至少一条位线和至少一条位补线，其中，通过沿第一方向或第二方向驱动写入电流以将每一个相应的MTJ元件编程为低电阻状态或高电阻状态而写入所述相应的MTJ元件，并且，通过沿倾向于将每一个相应的MTJ元件干扰成高电阻状态的方向驱动读取电流通过所述相应的MTJ元件而读取所述相应的MTJ元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180005111.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
