[发明专利]脑电波测量系统、脑电波测量方法及其程序

摘要

本发明提供一种脑电波测量系统、脑电波测量方法及其程序。脑电波测量系统具备：频率分析部，其在用户装载了测量脑电波信号的脑电波测量部时，将脑电波信号的频率功率按每个基准电极与测量电极的组来进行分析；不良情况电极判定部，其通过比较分析出的频率功率和第1阈值，判定每个电极的装载状态是否良好；不良情况要因推测部，其决定判定为装载状态不好的不良情况电极数、和参考预先存储的多个电极的位置而求出的不良情况电极接触于用户的位置，并参照不良情况模式，推测电极的装载状态不好的要因。由此，在日常生活环境下的脑电波测量中，判定在多个电极之中哪个电极因何种要因产生了不良情况，来推测不良情况要因，从而以简单的方式实现稳定的脑电波测量。

主权项

一种脑电波测量系统，具备：脑电波测量部，其被配置在一个框体内，且由包括基准电极、测量电极和地线在内的多个电极构成，测量以所述地线为基准的所述基准电极与所述测量电极之间的脑电波信号；电极位置存储部，在用户装载了所述脑电波测量部时，该电极位置存储部存储所述多个电极中的每个电极与所述用户接触的位置；频率分析部，其至少按所述基准电极与所述测量电极组成的每个组、即脑电波测量频道，分析由所述脑电波测量部测量到的脑电波信号的频率功率；不良情况电极判定部，其通过比较由所述频率分析部分析过的所述频率功率、和预先设定的第1阈值，从而判定每个电极的装载状态是否良好；和不良情况要因推测部，其决定由所述不良情况电极判定部判定为装载状态不好的不良情况电极的数量、和参照由所述电极位置存储部存储的所述多个电极的位置而由所述不良情况电极判定部判定为装载状态不好的不良情况电极接触于用户的位置，参照将所述装载状态不好的不良情况电极的数量及所述不良情况电极接触于用户的位置、与电极的装载状态不好的要因对应起来的不良情况模式，推测与所决定的装载状态不好的不良情况电极的数量及装载状态不好的不良情况电极的位置相对应的、电极的装载状态不好的要因。