[发明专利]具有集成的瞬态过压保护的接合焊盘有效
申请号: | 201180005850.5 | 申请日: | 2011-01-03 |
公开(公告)号: | CN102714205A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | J·萨尔塞多;A·赖特 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 所提供的是过压钳位结构及其形成方法。在一些实施例中,过压钳位结构包括衬底(708)、设置与该衬底之上的接合焊盘(700)以及形成于该接合焊盘下面的该衬底中的高电压MOS器件(100c)。该高电压MOS器件(100c)能包括形成于该衬底中的阱(100、115)、形成于该阱中的掺杂浅区域(130、135、140、145)以及设置与该阱之上的栅极(160)。在一些实施例中,该钳位结构不表现出第一骤回之后的软故障泄漏,且大大扩展了ESD鲁棒性,同时显著减小了器件面积。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 瞬态 保护 接合 | ||
【主权项】:
一种包括接合焊盘结构的装置,所述接合焊盘结构包括:衬底,包括多个平面型过压钳位器件,所述过压钳位器件包括高压侧区域和低压侧区域,每个器件都沿在第一方向上的其宽度伸长;设置于所述衬底之上的第一图案化金属层,包括(i)至少一个导电岛,沿所述第一方向伸长并与所述高压侧区域对准且电连接到所述高压侧区域,以及(ii)导电区域,围绕所述至少一个导电岛并与所述低压侧区域电连接;以及第一总线,取向得基本垂直于所述第一方向并至少包括围绕所述至少一个导电岛的所述导电区域的一部分,其中所述平面型过压钳位器件配置成在过压状况下从所述至少一个导电岛向所述第一总线分流电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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