[发明专利]具有集成的瞬态过压保护的接合焊盘有效

专利信息
申请号: 201180005850.5 申请日: 2011-01-03
公开(公告)号: CN102714205A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: J·萨尔塞多;A·赖特 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈华成
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 所提供的是过压钳位结构及其形成方法。在一些实施例中,过压钳位结构包括衬底(708)、设置与该衬底之上的接合焊盘(700)以及形成于该接合焊盘下面的该衬底中的高电压MOS器件(100c)。该高电压MOS器件(100c)能包括形成于该衬底中的阱(100、115)、形成于该阱中的掺杂浅区域(130、135、140、145)以及设置与该阱之上的栅极(160)。在一些实施例中,该钳位结构不表现出第一骤回之后的软故障泄漏,且大大扩展了ESD鲁棒性,同时显著减小了器件面积。
搜索关键词: 具有 集成 瞬态 保护 接合
【主权项】:
一种包括接合焊盘结构的装置,所述接合焊盘结构包括:衬底,包括多个平面型过压钳位器件,所述过压钳位器件包括高压侧区域和低压侧区域,每个器件都沿在第一方向上的其宽度伸长;设置于所述衬底之上的第一图案化金属层,包括(i)至少一个导电岛,沿所述第一方向伸长并与所述高压侧区域对准且电连接到所述高压侧区域,以及(ii)导电区域,围绕所述至少一个导电岛并与所述低压侧区域电连接;以及第一总线,取向得基本垂直于所述第一方向并至少包括围绕所述至少一个导电岛的所述导电区域的一部分,其中所述平面型过压钳位器件配置成在过压状况下从所述至少一个导电岛向所述第一总线分流电流。
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