[发明专利]具有用于补偿基底热膨胀的层的半导体发光器件无效
| 申请号： | 201180006004.5 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102714256A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | L.T.罗马诺;B-K.韩;M.D.克拉文 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02;H01L21/20;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种半导体结构(14,16,18)，其在生长基底的顶表面上生长。该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的III族氮化物发光层。弯曲控制层(10)布置成直接接触生长基底(12)。生长基底(12)的热膨胀系数小于GaN的热膨胀系数，并且弯曲控制层(10)的热膨胀系数大于GaN的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 补偿 基底 热膨胀 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在生长基底的顶表面上生长半导体结构，其中：所述半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的III族氮化物发光层；所述生长基底的热膨胀系数小于GaN的热膨胀系数；弯曲控制层布置成直接接触所述生长基底；并且所述弯曲控制层的热膨胀系数大于GaN的热膨胀系数。
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