[发明专利]形成复合衬底以及在复合衬底上生长III-V族发光器件的方法有效
| 申请号： | 201180006006.4 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102696120A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | N.F.加德纳;M.R.克拉梅斯;M.B.麦老恩;S.伊 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种根据本发明实施例的方法包括：提供衬底，该衬底包含基体和与基体结合的种子层。种子层包括多个区域。包括在n-型区域和p-型区域之间设置的发光层的半导体结构在衬底上生长。在种子层上生长的半导体层的顶面具有大于多个种子层区域中每一个的横向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 复合 衬底 以及 生长 iii 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供衬底，该衬底包括： 基体；以及 与基体结合的种子层，该种子层包括多个区域，其中，种子层的相邻区域在相邻区域之间的界面处彼此直接接触；以及在衬底上生长半导体结构，该半导体结构包括在n‑型区域和p‑型区域之间设置的发光层；其中，在种子层上生长的半导体层的顶表面具有大于多个种子层区域中的每一个的横向延伸。
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