[发明专利]应力被调节的半导体装置及其相关方法无效
| 申请号： | 201180006105.2 | 申请日： | 2011-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102893419A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 宋健民;甘明吉;胡绍中 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应力被调节的半导体装置及其相关方法。在一种实施方式中，一应力被调节的半导体装置例如可以包括：一半导体层；一应力调节界面层，其包括一形成于半导体层上的碳层；以及一散热器，其耦合至相对于半导体层的碳层。该应力调节界面层可用来降低在半导体层及散热器之间的热膨胀系数差异至小于或等于约10ppm/℃。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 调节 半导体 装置 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种应力被调节的半导体装置，包括：一半导体层；一应力调节界面层，其包含一碳层，其通过一碳化物形成物键合至该半导体层；以及一散热器，其耦合至相对于该半导体层的应力调节界面层，其中，该应力调节界面层用于降低在该半导体层及该散热器之间的热膨胀系数差异，使其小于或等于10ppm/℃。
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