[发明专利]半导体装置和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180006279.9 申请日: 2011-01-17
公开(公告)号: CN102714164A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 木村明宽;山口恒守 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L23/12;H01L23/50
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体装置(100)具有:与半导体芯片(106)的另一主面(106b)固接的第一绝缘材料(110);和与半导体芯片(106)的侧面、第一绝缘材料(110)和岛形部(102)固接的第二绝缘材料(112),经由第一绝缘材料(110)和第二绝缘材料(112)将半导体芯片(106)固接在岛形部(102)上。利用第一绝缘材料(110)在半导体芯片(106)与岛形部(102)之间确保高的绝缘耐压,并且,利用具有比第一绝缘材料(110)高的弹性模量的第二绝缘材料(112),半导体芯片(106)被牢固地固接在岛形部(102)上。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:岛形部;第一绝缘材料;弹性模量比所述第一绝缘材料高的第二绝缘材料;和半导体芯片,其具有形成有结合垫的一个主面:和朝向与所述一个主面相反的一侧,并且经由所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料固接在所述岛形部上的另一主面,其中,所述第二绝缘材料与所述岛形部和所述半导体芯片这两者接触。
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