[发明专利]用于利用邻近修正来控制晶片和掩膜的电子束曝光的方法

摘要

本发明涉及用于制造晶片和掩膜的电子束光刻的方法。为了减小干扰性的邻近效应的影响，使用扩展的修正算法用于控制电子束，该算法使更精确的修正成为可能。因此，本发明的任务在于，创造一种经改善的修正方法，用该方法能够最优地控制图案的所有图形的对比度和CD。依据本发明由此解决该任务，即，为了对所有图形（F）进行对比度控制而用几何方法生成额外的对比度框（KR）和剩余图形（R）。然后，通过尺寸减小运算由对比度框（KR）的图形和剩余图形（R）生成更小的图形（KRsize-S和Rsize-S），并且接着转交这些图形（KRsize-S和Rsize-S）到邻近修正算法中，条件是通过剂量分配在图形（KR、R）的边缘上达到抗蚀膜阈值。

主权项

用于借助通过修正算法进行的邻近修正来控制晶片和掩膜的电子束曝光的方法，其特征在于：‑用几何方法生成用于对所有图形（F）进行对比度控制的额外的对比度框（KR）和剩余图形（R）；‑通过尺寸减小运算，由所述对比度框（KR）的图形和剩余图形（R）生成更小的图形（KRsize‑S和Rsize‑S）；并且‑接着将这些图形（KRsize‑S和Rsize‑S）转交到邻近修正算法中，条件是通过剂量分配在所述图形（KR、R）的边缘上达到抗蚀膜阈值。