[发明专利]用于穿通硅通路的完整空隙填充

摘要

提供了一种微电子组件和形成延伸穿过第一和第二晶片的通孔的方法。第一和第二晶片具有相对面和位于所述面上的金属特征，所述金属特征接合在一起以组装晶片。可蚀刻孔以穿过第一晶片，直至在相对面之间的间隙暴露。所述孔可具有第一壁和第二壁，第二壁从第一壁到暴露间隙的开口向内倾斜。然后，在孔中暴露的第一或第二晶片的材料可被溅射，以在相对面之间形成壁。所述孔可被蚀刻为使第一壁延伸穿过第一晶片，从而孔的壁从第一晶片连续地延伸到第二晶片中。接下来，可形成导电的穿通硅通路。

主权项

一种形成通孔的方法，所述通孔延伸穿过第一晶片和结合到所述第一晶片的第二晶片，所述第一晶片具有面以及暴露于所述面的金属特征，所述第二晶片具有面以及暴露于所述第二晶片的所述面的金属特征，所述第二晶片的所述面与所述第一晶片的所述面相对，所述第二晶片的所述金属特征与所述第一晶片的所述金属特征接合，所述方法包括：a）蚀刻孔（200），所述孔（200）延伸穿过所述第一晶片（110），直至部分地暴露所述第二晶片（150）的所述面（114），所述孔具有沿着垂直方向（212）延伸的第一壁（210），所述孔具有从所述第一壁到暴露所述第二晶片的所述面的内部开口（192）向内倾斜的第二壁（215）；b）将粒子引导到所述孔中，以溅射所述第一晶片和所述第二晶片的至少之一的材料，被溅射材料（400）沉积在相邻于所述孔的所述第一晶片和所述第二晶片的暴露的相对面（112，114）的至少之一上；以及c）继续蚀刻所述孔，以延伸所述第一壁完全穿过所述第一晶片、界面间隙（195）并进入所述第二晶片中，使得所述孔的壁从所述第一晶片穿过所述被溅射材料并进入所述第二晶片中而连续地延伸。