[发明专利]具有带氧阻障层的金属栅极堆叠的场效应晶体管器件有效
| 申请号： | 201180006611.1 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102714177A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | P.阿杜苏米利;A.卡尔莱加里;J.B.张;崔畅桓;M.M.弗兰克;M.吉罗姆;V.纳拉亚南 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管器件及方法，该场效应晶体管器件包括半导体基板、覆盖于该半导体基板上并优选为高介电常数栅极层的电介质栅极层、以及覆盖于该栅极电介质层上的导电的氧阻障层。在一个实施例中，在栅极电介质层与氧阻障层之间具有导电层。在另一个实施例中，在氧阻障层上具有低电阻率金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻障 金属 栅极 堆叠 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管器件，包括：半导体基板；栅极堆叠，该栅极堆叠包括：栅极电介质层，覆盖于该半导体基板上；导电的氧阻障层，覆盖于该栅极电介质层上；以及低电阻率金属层，覆盖于该氧阻障层上，其中该栅极堆叠中的每一层所具有的硅、锗或硅与锗的组合的原子百分比低于90%；以及间隔物，与该栅极堆叠相邻且与该栅极堆叠直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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