[发明专利]薄膜晶体管器件的制造方法、薄膜晶体管器件以及显示装置

摘要

本发明供给一种薄膜晶体管器件的制造方法、薄膜晶体管器件以及显示装置。该制造方法包括：在基板上形成多个栅电极的工序（S11）；在多个栅电极上形成栅极绝缘层的工序（S12）；在栅极绝缘层上形成非晶硅层的工序（S13）；在非晶硅层上形成缓冲层和光吸收层的工序（S14）；通过使用红色或者近红外的激光对所述光吸收层进行加热的热来使非晶硅层结晶化而生成结晶硅层的工序（S15）；以及在与多个栅电极各自对应的结晶硅层上的区域形成源电极和漏电极的工序（S20），栅极绝缘层、非晶硅层的膜厚、缓冲层以及光吸收层的膜厚形成为满足预定的条件式。

主权项

一种薄膜晶体管器件的制造方法，包括：第一工序，准备基板；第二工序，在所述基板上形成多个栅电极；第三工序，在所述多个栅电极上形成栅极绝缘层；第四工序，在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；第五工序，在所述非晶硅层上形成缓冲层；第六工序，在所述缓冲层上形成光吸收层；第七工序，使波长600nm以上的预定的激光器相对于所述基板在一定方向上相对移动，使用从所述预定的激光器照射的激光对所述光吸收层进行加热，通过由加热而产生的热来间接地使所述非晶硅层结晶化而生成结晶硅层；以及第八工序，在与所述多个栅电极各自对应的所述结晶硅层上的区域形成源电极和漏电极，将对所述光吸收层的光学膜厚除以所述激光的波长而得到的值设为X，所述光吸收层的光学膜厚为对所述光吸收层的膜厚乘以所述光吸收层的折射率而得到的值，将对所述缓冲层的光学膜厚、所述非晶硅层的光学膜厚以及所述栅极绝缘层的光学膜厚相加而得到的值除以所述激光的波长而得到的值设为Y，所述缓冲层的光学膜厚是对所述缓冲层的膜厚乘以所述缓冲层的折射率而得到的值，所述非晶硅层的光学膜厚是对所述非晶硅层的膜厚乘以所述非晶硅层的折射率而得到的值，所述栅极绝缘层的光学膜厚是对所述栅极绝缘层的膜厚乘以所述栅极绝缘层的折射率而得到的值，进一步，将所述光吸收层的密度设为ρ，将所述光吸收层的比热设为c，将所述栅电极的膜厚设为dG，将所述栅电极的密度设为ρG，将所述栅电极的比热设为cG，将所述栅电极上方的光吸收层的光吸收率与不在所述栅电极上方的光 吸收层对于所述激光的光吸收率相等时的所述栅电极的吸收率的最大值设为AG，将通过（AG/dG）×（ρ×c）/（ρG×cG）这一算式算出的值设为△A’，则所述栅极绝缘层的膜厚、所述非晶硅层的膜厚、所述缓冲层的膜厚以及所述光吸收层的膜厚满足属于通过以下式1至式4划分的范围的所述X和所述Y，式1：Y≤－1.06X‑0.22△A’+1.07式2：Y≥1.29X+1.61*△A’+1.44式3：Y≥1.06X+0.33△A’+0.89式4：Y≤1.29X+‑0.97*△A’‑0.95。