[发明专利]铜晶圆研磨的化学平坦化

摘要

本文所述实施例关于自基板移除材料。更明确地，本文所述实施例关于经由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中，提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液，基板上形成有导电材料层，且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、一或更多腐蚀抑制剂与一或更多氧化剂；在导电材料层上形成钝化层；在基板与研磨垫之间提供相对移动，并移除至少一部分的钝化层以暴露一部分的下方导电材料层；及移除一部分的暴露导电材料层。

主权项

一种一基板的化学机械研磨(CMP)方法，该方法包括：将一基板暴露于一研磨液，该基板上形成有一导电材料层，该研磨液包括下列：磷酸；一或更多螯合剂；一或更多腐蚀抑制剂；及一或更多氧化剂；在该导电材料层上形成一钝化层；在该基板与一研磨垫之间提供相对移动，并移除该钝化层的至少一部分以暴露该下方导电材料层的一部分；及经由化学溶解移除该暴露导电材料层的一部分。