[发明专利]在研磨期间用于温度控制的设备及方法无效
| 申请号： | 201180007435.3 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102725831A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | H·C·陈;S·C-C·徐;G·S·丹达瓦特;D·M·库萨 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭;张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及用于改善研磨制程的均匀性的设备与方法。本发明的实施例提供加热机构或冷却机构或偏压加热机构，加热机构设以在研磨期间施加热能到基材的周围，冷却机构设以在研磨期间冷却基材的中心区域，偏压加热机构设以在研磨垫的给定半径上产生温度阶梯差异。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 期间 用于 温度 控制 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种基材载具头，该基材载具头包含：一基底板；一挠性薄膜，该挠性薄膜耦接到该基底板，其中该挠性薄膜的一外表面提供一基材接收表面，及该挠性薄膜的一内表面与该基底板界定复数个腔室，以提供可独立调整的压力到相应的该基材接收表面的复数个区域；及一边缘加热器，该边缘加热器设置在该复数个腔室的一第一腔室中，该第一腔室相应于该基材接收表面的一周围区域，其中该复数个腔室是以同心的方式来配置，并且该第一腔室具有环形的形状且位在该复数个腔室的最外侧处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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